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SiE800DF
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
60
V GS = 10 V thr u 5 V
25
50
4 V
20
40
15
30
10
20
T C = 125 °C
10
5
25 °C
0
3 V
0
- 55 °C
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.014
0.012
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2500
2000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.010
0.00 8
V GS = 4.5 V
1500
1000
C iss
C oss
V GS = 10 V
0.006
0.004
500
0
C rss
0
10
20
30
40
50
60
0
5
10
15
20
25
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
6
I D = 1 8 .5 A
V DS = 15 V
V DS = 24 V
1.6
1.4
1.2
I D = 10. 8 A
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
4
1.0
2
0
0. 8
0.6
0
5
10
15
20
25
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 73199
S11-0212-Rev. G, 14-Feb-11
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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